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晶圓硅片紅外均勻加熱

日期：2023-11-03 16:49

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這幾年我們在蘇州，大連以及無錫的客戶群體，需要將8寸晶圓外表面均勻加熱到一定溫度，對加熱要求極高，以實現(xiàn)加熱后在下一工序中達(dá)到更好的效果。

紅外線加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點，適用于各種硅片的加熱需求。因此客戶選用了我們的紅外線輻射加熱器（朗普紅外線加熱數(shù)據(jù)庫以及光學(xué)運算，優(yōu)化了熱源燈絲內(nèi)部發(fā)光體結(jié)構(gòu)、反光板結(jié)構(gòu)以及陣列布燈，使被加熱表面接受均值的紅線輻射能量，有效降低了溫度不均帶來的不良工藝質(zhì)量問題）。

客戶加熱要求：

1、在直徑φ200加熱范圍內(nèi)溫度均勻性盡量高，溫度一致性≤±6℃

2、出具加熱模擬方案及熱分布模擬結(jié)果報告。

3、加熱迅速，300秒內(nèi)加熱對象，能快速升溫200至400℃。

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于是我們根據(jù)客戶需求量身定制了加熱方案：

1，通過優(yōu)化燈絲熱能分布結(jié)構(gòu)，做到類矩形加熱（常規(guī)為雙尖形），減少中間聚熱，兩頭冷的不均勻熱場現(xiàn)象；

2，并通過朗普數(shù)據(jù)庫+光學(xué)運算，得出陣列布燈距高比；

3，通過背面弧形光學(xué)反光曲率設(shè)計，進(jìn)一步修正輻照場的均勻度；

4，通過電控系統(tǒng)和非接觸式測溫探頭，進(jìn)行閉環(huán)控制，進(jìn)一步減少溫度過沖或者加熱不足導(dǎo)致的工藝問題。

硅片加熱 (1).jpg


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